Halbleiterbauelement mit Integriertem Magnetischem Tunnelübergang mit Herstellungsverfahren
EP3185321
Art B1
16. Juli 2025
Anmelder: IMEC VZW 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3185321
- Aktenzeichen
- EP15201487
- Anmeldetag
- 21. Dezember 2015
- Veröffentlichung
- 16. Juli 2025
- Erteilung
- 16. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10N50/10H10N50/01G11C11/15G11C11/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IMEC VZW
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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