Halbleiterbauelement mit Integriertem Magnetischem Tunnelübergang mit Herstellungsverfahren

EP3185321 Art B1 16. Juli 2025

Anmelder: IMEC VZW 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3185321
Aktenzeichen
EP15201487
Anmeldetag
21. Dezember 2015
Veröffentlichung
16. Juli 2025
Erteilung
16. Juli 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H10N50/10H10N50/01G11C11/15G11C11/16
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
IMEC VZW
Land
🇧🇪 Belgien

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