Nitrid-Halbleitervorrichtung und Quantenkaskadenlaser damit

EP3193378 Art A1 19. Juli 2017

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, The University of Tokyo 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3193378
Aktenzeichen: EP16199936
Anmeldetag: 22. November 2016
Veröffentlichung: 19. Juli 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/16H01S5/323H01L33/32H01S5/32H01S5/343// H01S5/042H01S5/30H01S5/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sharp Kabushiki Kaisha
The University of Tokyo
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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