Iii-Nitrid-Strukturen mit Doppeltem Heteroübergang

EP3195365 Art B1 13. Januar 2021

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3195365
Aktenzeichen: EP15722414
Anmeldetag: 7. Mai 2015
Veröffentlichung: 13. Januar 2021
Erteilung: 13. Januar 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

3.397 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von