Verfahren zum Bilden einer Anodisierten Schicht und einer Aluminiumschicht über Substrat
EP3198058
Art A1
2. August 2017
Anmelder: Hewlett-Packard Development Company, L.P. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3198058
- Aktenzeichen
- EP15890989
- Anmeldetag
- 30. April 2015
- Veröffentlichung
- 2. August 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C25D11/04C23C16/02C23C24/10C23C28/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hewlett-Packard Development Company, L.P.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Hewlett-Packard
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Palo Alto, Kalifornien. Aktiv in Computerhardware, Druckern, Speicherlösungen sowie Unternehmens-IT und Cloud-Infrastruktur.
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