Verfahren zur Herstellung eines Gruppe-Iii-Nitrid-Kristalls, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Verwendung einer Vorrichtung zur Herstellung des Gruppe-Iii-Nitrid-Kristalls

EP3199670 Art B1 25. Juni 2025

Anmelder: Osaka University, Itochu Plastics Incorporated, National University Corporation Tokyo University of Agriculture and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3199670
Aktenzeichen: EP15855510
Anmeldetag: 28. Oktober 2015
Veröffentlichung: 25. Juni 2025
Erteilung: 25. Juni 2025
Rechtsraum: EP
IPC: C23C16/34C30B25/14C30B25/20C30B29/40C30B25/02H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Osaka University
Itochu Plastics Incorporated
National University Corporation Tokyo University of Agriculture and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von