Plasmaätzvorrichtung und Plasmaätzverfahren

EP3200220 Art B1 25. Dezember 2019

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3200220
Aktenzeichen
EP17160784
Anmeldetag
5. Oktober 2007
Veröffentlichung
25. Dezember 2019
Erteilung
25. Dezember 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/3065H01L21/768H05H1/46H01J37/32
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Tokyo Electron Limited
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen