Schutz vor Elektrostatischer Entladung mit Integrierter Diode

EP3200229 Art A1 2. August 2017

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3200229
Aktenzeichen
EP16206102
Anmeldetag
22. Dezember 2016
Veröffentlichung
2. August 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/02H02H9/04
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Lee, Candice Jane NXP SEMICONDUCTORS · Inhouse Redhill, Großbritannien
321
Patente gesamt
15
Fachgebiete
2
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Elektronik & Schaltungstechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung Akustik, Musik & Datenspeicherung
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