Halbleiterschaltvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschaltvorrichtung
EP3200235
Art A1
2. August 2017
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3200235
- Aktenzeichen
- EP16153174
- Anmeldetag
- 28. Januar 2016
- Veröffentlichung
- 2. August 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L27/02H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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