Feldeffekttransistor mit Optimiertem Mixed-Drain-Kontakt und Herstellungsverfahren
EP3201949
Art A1
9. August 2017
Anmelder: THALES 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3201949
- Aktenzeichen
- EP15774593
- Anmeldetag
- 30. September 2015
- Veröffentlichung
- 9. August 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/417H01L29/66H01L29/778H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- THALES
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Thales
Französischer Technologiekonzern mit Sitz in Paris, aktiv in Luft- und Raumfahrt, Verteidigungstechnik, Sicherheitstechnologie sowie Bahn- und Kommunikationssystemen für zivile und militärische Anwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Esselin, Sophie
Arcueil, Frankreich
880
Patente gesamt
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9
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Atout PI Laplace
Atout PI Laplace · Paris