Hochdichte Rom-Zelle mit Dualem Bitspeicher für Hochgeschwindigkeit und Niederspannung

EP3203478 Art A1 9. August 2017

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3203478
Aktenzeichen
EP17154268
Anmeldetag
1. Februar 2017
Veröffentlichung
9. August 2017
Rechtsraum
EP
IPC
G11C11/56G11C17/12
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.955 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung
Vertreten von
Lee, Candice Jane NXP SEMICONDUCTORS · Inhouse Redhill, Großbritannien
321
Patente gesamt
15
Fachgebiete
2
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Elektronik & Schaltungstechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung Akustik, Musik & Datenspeicherung
Zum Anwaltsprofil
Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen