Verfahren zur Füllung von Durchgangslöchern zur Reduzierung von Hohlräumen und Anderen Defekten
Anmelder: Rohm and Haas Electronic Materials LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3205749
- Aktenzeichen
- EP17154689
- Anmeldetag
- 3. Februar 2017
- Veröffentlichung
- 25. März 2020
- Erteilung
- 25. März 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C25D7/12C25D5/18H05K3/42C25D7/00// C25D3/38
Abstract
Direct current plating methods inhibit void formation, reduce dimples and eliminate nodules. The method involves electroplating copper at a high current density followed by a pause in electroplating and then turning on the current to electroplate at a lower current density to fill through-holes.
Anmelder
- Firma
- Rohm and Haas Electronic Materials LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
Ehemaliger US-amerikanischer Spezialchemiekonzern mit Sitz in Philadelphia, unter anderem für Kunststoffe, Beschichtungen und Elektronikchemikalien bekannt. Wurde 2009 von Dow Chemical übernommen.
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Sitz im englischen Bakewell in Derbyshire, Kanzlei aus UK Chartered und European Patent Attorneys mit eigener Industrieerfahrung. Spezialisiert auf europäische Patentanmeldung sowie Einspruchs- und Beschwerdeverfahren für US-amerikanische und europäische Firmenkunden.