Methode zum Herstellen eines Graphen-Basierten Fet, insbesondere eines Speicher-Fets, mit einem Eingebetteten Dielektrischen Element hergestellt mittels Fluorierung

EP3206232 Art A1 16. August 2017

Anmelder: Centre National de la Recherche Scientifique CNRS, Supelec, Université Pierre et Marie Curie 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3206232
Aktenzeichen: EP16305161
Anmeldetag: 12. Februar 2016
Veröffentlichung: 16. August 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/423H01L29/66H01L29/778H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Supelec
Université Pierre et Marie Curie
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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