Verfahren zur Herstellung einer Wärmespreizplatte, Wärmespreizplatte, Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls und Halbleitermodul
Anmelder: Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3208841
- Aktenzeichen
- EP16156488
- Anmeldetag
- 19. Februar 2016
- Veröffentlichung
- 9. Dezember 2020
- Erteilung
- 9. Dezember 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/373B23K20/02B32B15/01H01L21/48
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Wärmespreizplatte (10) für einen Schaltungsträger (80), wobei - mindestens eine erste Schicht (20) aus einem ersten Material (M1) mit einem ersten Ausdehnungskoeffizient und - mindestens eine zweite Schicht (30) aus einem zweiten, dehnungsarmen Material (M2) mit einem zweiten Ausdehnungskoeffizient, der kleiner als der erste Ausdehnungskoeffizient ist, bei einer Verbindungstemperatur von 150 °C - 300 °C, insbesondere durch ein Niedertemperatursinterverfahren, miteinander verbunden werden, wobei zwischen der ersten Schicht (20) und der zweiten Schicht (30) mindestens eine erste Verbindungsschicht (40) aus einem Verbindungsmaterial (VM) ausgebildet ist und die Verbindungstemperatur im Wesentlichen der Montagetemperatur bei der Verbindung der hergestellten Wärmespreizplatte (10) mit mindestens einem Schaltungsträger (80) entspricht.
Anmelder
- Firma
- Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
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