Vorrichtungen und Verfahren für Segmentierte Sgs-Leitungen

EP3210209 Art B1 18. Mai 2022

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3210209
Aktenzeichen
EP15852706
Anmeldetag
7. Oktober 2015
Veröffentlichung
18. Mai 2022
Erteilung
18. Mai 2022
Rechtsraum
EP
IPC
G11C8/12G11C16/10G11C16/08G11C16/24G11C11/56G11C16/04
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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