Halbleiterstruktur mit einer Halbleiterschicht der Gruppe Iii-V umfassend eine Kristallstruktur mit einem Hexagonalen Gitter

EP3221881 Art B1 6. November 2019

Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3221881
Aktenzeichen: EP15797989
Anmeldetag: 17. November 2015
Veröffentlichung: 6. November 2019
Erteilung: 6. November 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L33/12H01L29/778H01L29/10H01L29/207H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.

8.392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von