Verfahren zur Erzeugung von Dotierten, Polykristallinen Halbleiterschichten

EP3221901 Art A1 27. September 2017

Anmelder: Evonik Degussa GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3221901
Aktenzeichen: EP15794943
Anmeldetag: 17. November 2015
Veröffentlichung: 27. September 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/068H01L21/02H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Evonik Degussa GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Evonik

Deutscher Spezialchemiekonzern mit Sitz in Essen. Entwickelt und produziert Chemikalien, Additive und Materialien für Industrie, Gesundheit, Ernährung und Konsumgüter.

5.888 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von