Siliciumcarbid-Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon
EP3223300
Art A1
27. September 2017
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3223300
- Aktenzeichen
- EP17169530
- Anmeldetag
- 4. März 2011
- Veröffentlichung
- 27. September 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/04H01L29/16H01L29/66H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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