Verfahren zur Herstellung einer Zweischichtigen Mems-Suspensionsmikrostruktur und Mems- Infrarotdetektor

EP3228583 Art B1 1. November 2023

Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd., CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3228583
Aktenzeichen: EP15866031
Anmeldetag: 20. August 2015
Veröffentlichung: 1. November 2023
Erteilung: 1. November 2023
Rechtsraum: EP
IPC: B81B7/02B81C1/00G01J5/08G01J5/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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