Polarisationsgesteuerte Nitridhalbleitervorrichtung

EP3229277 Art B1 25. September 2019

Anmelder: Palo Alto Research Center Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3229277
Aktenzeichen: EP17165342
Anmeldetag: 6. April 2017
Veröffentlichung: 25. September 2019
Erteilung: 25. September 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/861H01L29/205H01L31/0248H01L33/32H01L33/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Palo Alto Research Center Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Palo Alto Research Center

US-amerikanisches Forschungsinstitut in Palo Alto, bekannt als PARC, das für Xerox und externe Auftraggeber Grundlagen- und angewandte Forschung in Informatik, Elektronik und Materialwissenschaften betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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