Tunnel-Feldeffekttransistor sowie Verfahren zu dessen Herstellung

EP3235002 Art B1 29. Januar 2020

Anmelder: Forschungszentrum Jülich GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3235002
Aktenzeichen: EP15813251
Anmeldetag: 4. November 2015
Veröffentlichung: 29. Januar 2020
Erteilung: 29. Januar 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/739H01L29/06H01L29/08H01L21/33

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Forschungszentrum Jülich GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Forschungszentrum Jülich

Deutsche Großforschungseinrichtung der Helmholtz-Gemeinschaft mit Sitz in Jülich, gegründet 1956. Forschungsschwerpunkte sind Energie, Information und Gehirnforschung.

1.138 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von