Oxidvorläufer, Oxidschicht, Halbleiterbauelement, Elektronische Vorrichtung, Verfahren zur Herstellung einer Oxidschicht und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements
EP3236488
Art A1
25. Oktober 2017
Anmelder: Japan Advanced Institute of Science and Technology, Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3236488
- Aktenzeichen
- EP15869631
- Anmeldetag
- 5. Oktober 2015
- Veröffentlichung
- 25. Oktober 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/368C23C18/12H01L21/288H01L21/316H01L21/336H01L29/786H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Japan Advanced Institute of Science and Technology
Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd.
Japanisches Chemieunternehmen der Sumitomo-Gruppe mit Sitz in Hyogo, Hersteller von Spezialchemikalien und Polymeren, unter anderem superabsorbierenden Polymeren. Patente betreffen vor allem Polymer- und Materialtechnik.
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