Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

EP3236504 Art A1 25. Oktober 2017

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3236504
Aktenzeichen: EP17174541
Anmeldetag: 17. Juni 2010
Veröffentlichung: 25. Oktober 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L29/66H01L27/12H01L29/423H01L29/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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