Verfahren zur Herstellung einer Nichtflüchtigen Split-Gate-Flashspeicherzelle mit Metallverstärkten Gates

EP3243219 Art B1 26. Juni 2019

Anmelder: Silicon Storage Technology Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3243219
Aktenzeichen: EP15798284
Anmeldetag: 6. November 2015
Veröffentlichung: 26. Juni 2019
Erteilung: 26. Juni 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/423H01L27/11521H01L29/66H01L29/788G11C16/04H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Silicon Storage Technology Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Silicon Storage Technology

Silicon Storage Technology ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf nichtflüchtige Speichertechnologien spezialisiert ist und zu Microchip Technology gehört. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Datenspeicherung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software. Anmeldungen laufen durchgehend seit 2000.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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