Verfahren zur Herstellung einer Gate-Struktur und Halbleiterbauelement

EP3244447 Art A1 15. November 2017

Anmelder: IMEC VZW 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3244447
Aktenzeichen: EP16169098
Anmeldetag: 11. Mai 2016
Veröffentlichung: 15. November 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8238H01L21/84H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IMEC VZW
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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