Verfahren zur Herstellung eines Magnettunnelübergangs

EP3245677 Art B1 3. Februar 2021

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3245677
Aktenzeichen: EP15878288
Anmeldetag: 18. Dezember 2015
Veröffentlichung: 3. Februar 2021
Erteilung: 3. Februar 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L43/12H01L43/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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