Herstellung eines Halbleiterträgers auf Basis von Gruppe-Iii-Nitriden

EP3248213 Art B1 6. September 2023

Anmelder: Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.) 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3248213
Aktenzeichen: EP16703350
Anmeldetag: 21. Januar 2016
Veröffentlichung: 6. September 2023
Erteilung: 6. September 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.)
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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