Herstellungsverfahren für Hochdichte Speicherzelle mit Geteiltem Gate

EP3248219 Art B1 7. August 2019

Anmelder: Silicon Storage Technology Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3248219
Aktenzeichen: EP16702475
Anmeldetag: 19. Januar 2016
Veröffentlichung: 7. August 2019
Erteilung: 7. August 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L29/423G11C16/04H01L27/11521H01L29/788H01L29/66G11C16/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Silicon Storage Technology Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Silicon Storage Technology

Silicon Storage Technology ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf nichtflüchtige Speichertechnologien spezialisiert ist und zu Microchip Technology gehört. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Datenspeicherung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software. Anmeldungen laufen durchgehend seit 2000.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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