Verfahren zur Herstellung einer Split-Gate-Speicherzellenanordnung mit Logikelementen mit Niedriger und Hoher Spannung

EP3248220 Art B1 6. März 2019

Anmelder: Silicon Storage Technology Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3248220
Aktenzeichen
EP16702642
Anmeldetag
19. Januar 2016
Veröffentlichung
6. März 2019
Erteilung
6. März 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/115H01L29/423
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Silicon Storage Technology Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Silicon Storage Technology

Silicon Storage Technology ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf nichtflüchtige Speichertechnologien spezialisiert ist und zu Microchip Technology gehört. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Datenspeicherung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software. Anmeldungen laufen durchgehend seit 2000.

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