Rückstandsentfernung aus Strukturen mit Hohem Aspektverhältnis

EP3251760 Art B1 9. April 2025

Anmelder: Bruker Nano, Inc., Rave LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3251760
Aktenzeichen
EP17172132
Anmeldetag
22. Mai 2017
Veröffentlichung
9. April 2025
Erteilung
9. April 2025
Rechtsraum
EP
IPC
B08B7/00G03F1/82G03F1/84G03F7/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Bruker Nano, Inc.
Rave LLC
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Optik & Fototechnik Verfahrens- & Trenntechnik
Vertreten von
Nguyen-Van-Yen, Christian Arcueil, Frankreich
533
Patente gesamt
29
Fachgebiete
18
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Software & Datenverarbeitung Medizintechnik & Gesundheit Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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