Siliziumnitridschaltsubstrat und Elektronisches Komponentenmodul damit

EP3255666 Art B1 13. Oktober 2021

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3255666
Aktenzeichen
EP16746466
Anmeldetag
26. Januar 2016
Veröffentlichung
13. Oktober 2021
Erteilung
13. Oktober 2021
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/373H01L23/00H05K1/02H05K1/03
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toshiba
Toshiba Materials Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.642 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Toshiba Materials

Toshiba Materials ist eine japanische Tochtergesellschaft des Toshiba-Konzerns, spezialisiert auf keramische und magnetische Werkstoffe. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie anorganische Chemie und Werkstoffe, ergänzt um Metallurgie. Anmeldungen erstrecken sich über die Jahre 2004 bis 2024.

411 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen