Verbindung, Harz, Material zur Bildung eines Lithographieunterschichtfilms, Unterschichtfilmbildende Zusammensetzung, Lithographieunterschichtfilm, Verfahren zur Bildung einer Resiststruktur, Verfahren zur Herstellung einer Schaltkreisstruktur und Verfahren zur Reinigung einer Verbindung oder eines Harzes
EP3257835
Art A1
20. Dezember 2017
Anmelder: Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3257835
- Aktenzeichen
- EP16749322
- Anmeldetag
- 12. Februar 2016
- Veröffentlichung
- 20. Dezember 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C07C43/235C07C41/38C07C43/205C07C43/275C08G8/00G03F7/11G03F7/20G03F7/26G03F7/09
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Gas Chemical Company
Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.
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