Verfahren zur Bestimmung eines Überlagerungsfehlers, Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtigen Halbleiterbauelements, Rasterkraftmikroskopievorrichtung, Lithografiesystem und Halbleiterbauelement

EP3258275 Art A1 20. Dezember 2017

Anmelder: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3258275
Aktenzeichen: EP16175008
Anmeldetag: 17. Juni 2016
Veröffentlichung: 20. Dezember 2017
Rechtsraum: EP
IPC: G01Q60/32G03F7/20G01N29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 TNO (Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek)

Niederländisches, unabhängiges Forschungsinstitut für angewandte Naturwissenschaften mit Sitz in Den Haag. TNO betreibt anwendungsorientierte Forschung und Entwicklung in Bereichen wie Energie, Mobilität, Gesundheit, Verteidigung und Informationstechnologie.

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Optik & Fototechnik

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