Einseitiges Dotierverfahren von Siliziumplaketten

EP3258505 Art A1 20. Dezember 2017

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3258505
Aktenzeichen: EP17175619
Anmeldetag: 13. Juni 2017
Veröffentlichung: 20. Dezember 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/068H01L21/223H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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