Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbid-Einkristall-Epitaxialwafers, Siliciumcarbid-Einkristall-Epitaxialwafer

EP3260581 Art B1 3. April 2024

Anmelder: Resonac Corporation, Showa Denko K.K., Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3260581
Aktenzeichen: EP16752475
Anmeldetag: 16. Februar 2016
Veröffentlichung: 3. April 2024
Erteilung: 3. April 2024
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/36C30B25/16H01L21/205C23C16/32C30B25/18C30B25/20H01L21/02C23C16/02C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Resonac Corporation
Showa Denko K.K.
Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Resonac

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, hervorgegangen aus Showa Denko. Das Unternehmen stellt unter anderem Halbleitermaterialien, Elektronikchemikalien und funktionale Chemieprodukte her.

794 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Showa Denko

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, seit 2023 als Resonac Holdings firmierend. Aktiv in Petrochemie, Elektronikmaterialien, Batteriematerialien sowie Halbleiterchemikalien.

2.327 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Nippon Steel

Japanischer Stahlkonzern mit Sitz in Tokio, einer der größten Stahlhersteller der Welt. Aktiv in der Produktion von Stahl für Automobilbau, Bauwesen und Schiffbau sowie in Werkstoff- und Verfahrenstechnik.

5.379 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von