Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle mit High-K Ladungseinfangschicht
EP3262689
Art B1
4. August 2021
Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3262689
- Aktenzeichen
- EP16726461
- Anmeldetag
- 17. Mai 2016
- Veröffentlichung
- 4. August 2021
- Erteilung
- 4. August 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/423H01L21/28H01L29/51H01L29/792
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SanDisk Technologies LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
SanDisk
US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.
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Tothill, John Paul
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