Senkrecht Magnetisierte Ferromagnetische Schichten mit Oxydschnittstelle zur Ermöglichung von Verbesserter Oxidationssteuerung
EP3264481
Art B1
29. Juli 2020
Anmelder: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Headway Technologies, Inc. 🇹🇼
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3264481
- Aktenzeichen
- EP17178039
- Anmeldetag
- 27. Juni 2017
- Veröffentlichung
- 29. Juli 2020
- Erteilung
- 29. Juli 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L43/08H01L43/10G11C11/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
Headway Technologies, Inc. - Land
- 🇹🇼 Taiwan
🇹🇼
Taiwan Semiconductor Manufacturing
Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) ist der weltweit größte reine Halbleiter-Auftragsfertiger mit Sitz in Hsinchu, Taiwan. Der weit überwiegende Teil des Patentportfolios betrifft Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Datenspeicherung und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen durchgehend von 2000 bis 2022.
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Vertreten von
Schuffenecker, Thierry
Cagnes-sur-Mer, Frankreich
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