Dünnschicht Reserve-Batterie

EP3264499 Art A1 3. Januar 2018

Anmelder: Palo Alto Research Center, Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3264499
Aktenzeichen: EP17176747
Anmeldetag: 19. Juni 2017
Veröffentlichung: 3. Januar 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01M2/16H01M4/88H01M6/38H01M6/40H01M12/06H01M6/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Palo Alto Research Center, Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Palo Alto Research Center

US-amerikanisches Forschungsinstitut in Palo Alto, bekannt als PARC, das für Xerox und externe Auftraggeber Grundlagen- und angewandte Forschung in Informatik, Elektronik und Materialwissenschaften betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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