Nichtflüchtige Split-Gate-Speicherzelle mit 3D-Finfet-Struktur und Verfahren zur Herstellung davon

EP3271936 Art B1 13. November 2024

Anmelder: Silicon Storage Technology Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3271936
Aktenzeichen
EP16708579
Anmeldetag
26. Februar 2016
Veröffentlichung
13. November 2024
Erteilung
13. November 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/28H01L29/423H01L29/66H01L29/78H01L29/788H10B41/30
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Silicon Storage Technology Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Silicon Storage Technology

Silicon Storage Technology ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf nichtflüchtige Speichertechnologien spezialisiert ist und zu Microchip Technology gehört. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Datenspeicherung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software. Anmeldungen laufen durchgehend seit 2000.

360 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen