Vorwärtsgekoppelte Bidirektionale Implantierte Split-Gate-Flashspeicherzelle
EP3274996
Art A1
31. Januar 2018
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3274996
- Aktenzeichen
- EP16769704
- Anmeldetag
- 24. März 2016
- Veröffentlichung
- 31. Januar 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/04H01L29/788H01L27/115H01L21/265H01L29/66H01L27/11524H01L29/08G11C16/26H01L21/28H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
3.600 Patente in unserer Datenbank