Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements

EP3276670 Art A1 31. Januar 2018

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3276670
Aktenzeichen: EP17180221
Anmeldetag: 7. Juli 2017
Veröffentlichung: 31. Januar 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L29/10// H01L29/423H01L29/417H01L29/45H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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