Verfahren zur Herstellung Leitfähiger und Resistiver Schaltungsstrukturen in einer Integrierten Schaltung oder Leiterplatte
EP3278359
Art A1
7. Februar 2018
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3278359
- Aktenzeichen
- EP16774272
- Anmeldetag
- 31. März 2016
- Veröffentlichung
- 7. Februar 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H05K1/09H05K3/30H01L21/8232H01L23/50B82Y30/00H05K3/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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