Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP3279925 Art B1 4. Dezember 2019

Anmelder: Hamamatsu Photonics K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3279925
Aktenzeichen: EP16773200
Anmeldetag: 31. März 2016
Veröffentlichung: 4. Dezember 2019
Erteilung: 4. Dezember 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L23/48H01L27/146H01L31/0224H01L31/103

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Hamamatsu Photonics K.K.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hamamatsu Photonics

Japanisches Unternehmen für Photonik mit Sitz in Hamamatsu, spezialisiert auf Photodetektoren, Bildsensoren, Laser und optische Messtechnik für Wissenschaft und Industrie.

1.968 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von