Struktur einer Monolithischen Integrierten Schaltung (mmic) mit Zusammengesetzter Ätzstoppschicht und Verfahren zur Herstellung Solch einer Struktur

EP3281229 Art B1 15. Juni 2022

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3281229
Aktenzeichen: EP16717767
Anmeldetag: 8. April 2016
Veröffentlichung: 15. Juni 2022
Erteilung: 15. Juni 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L21/338H01L49/02H01L27/06H01L23/31H01L21/768// H01L29/423H01L29/20H01L21/027H01L21/311H01L23/485

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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