Siliciumnitrid-Sinterkörper und Hochtemperaturbeständiges Element damit

EP3281927 Art B1 19. Februar 2020

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Toshiba Materials Co., Ltd., Kabushiki Kaisha Toshiba, Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3281927
Aktenzeichen: EP16776431
Anmeldetag: 28. März 2016
Veröffentlichung: 19. Februar 2020
Erteilung: 19. Februar 2020
Rechtsraum: EP
IPC: B23K35/36C04B35/584F16C33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toshiba
Toshiba Materials Co., Ltd.
Kabushiki Kaisha Toshiba, Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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🇯🇵 Toshiba Materials

Toshiba Materials ist eine japanische Tochtergesellschaft des Toshiba-Konzerns, spezialisiert auf keramische und magnetische Werkstoffe. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie anorganische Chemie und Werkstoffe, ergänzt um Metallurgie. Anmeldungen erstrecken sich über die Jahre 2004 bis 2024.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Maschinenelemente & Fluidtechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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