Oxidsupraleiter und Herstellungsverfahren dafür

EP3282492 Art B1 12. September 2018

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3282492
Aktenzeichen
EP17157351
Anmeldetag
22. Februar 2017
Veröffentlichung
12. September 2018
Erteilung
12. September 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L39/12H01L39/14H01L39/24C04B35/45
Offizieller Volltext

Abstract

An oxide superconductor of an arrangement includes an oxide superconductor layer having a continuous Perovskite structure containing rare earth elements, barium (Ba), and copper (Cu). The rare earth elements contain a first element which is praseodymium (Pr), at least one second element selected from the group consisting of neodymium (Nd), samarium (Sm), europium (Eu), and gadolinium (Gd), at least one third element selected from the group consisting of yttrium (Y), terbium (Tb), dysprosium (Dy), and holmium (Ho), and at least one fourth element selected from the group consisting of erbium (Er), thulium (Tm), ytterbium (Yb), and lutetium (Lu).

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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