Verfahren zur Herstellung einer Mehrschichtigen Speicherblock Struktur mit einem ein Opferfüllmaterial Beinhaltenden Hohlraum
EP3286784
Art B1
29. Januar 2020
Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3286784
- Aktenzeichen
- EP16730988
- Anmeldetag
- 10. Juni 2016
- Veröffentlichung
- 29. Januar 2020
- Erteilung
- 29. Januar 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/115
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SanDisk Technologies LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
SanDisk
US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.
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Vertreten von
Tothill, John Paul
London, Großbritannien
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Dehns
Dehns · London