Verfahren und System zur Durchführung einer Fehlerdetektion in oder zur Charakterisierung einer Schicht eines Halbleiterelements oder Halbfertigen Halbleiterelements
EP3291286
Art A1
7. März 2018
Anmelder: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3291286
- Aktenzeichen
- EP16186518
- Anmeldetag
- 31. August 2016
- Veröffentlichung
- 7. März 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/66G01N29/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
TNO (Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek)
Niederländisches, unabhängiges Forschungsinstitut für angewandte Naturwissenschaften mit Sitz in Den Haag. TNO betreibt anwendungsorientierte Forschung und Entwicklung in Bereichen wie Energie, Mobilität, Gesundheit, Verteidigung und Informationstechnologie.
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