Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements
EP3293769
Art A1
14. März 2018
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3293769
- Aktenzeichen
- EP17181817
- Anmeldetag
- 18. Juli 2017
- Veröffentlichung
- 14. März 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L29/78H01L29/861H01L29/06H01L21/225
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Betten & Resch
Betten & Resch · München