Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon

EP3293770 Art A1 14. März 2018

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3293770
Aktenzeichen: EP17190374
Anmeldetag: 11. September 2017
Veröffentlichung: 14. März 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/739H01L29/06H01L29/40H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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