Feldeffekttransistorstruktur mit Gekerbter Mesa

EP3295487 Art B1 15. Januar 2025

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3295487
Aktenzeichen: EP16724198
Anmeldetag: 5. Mai 2016
Veröffentlichung: 15. Januar 2025
Erteilung: 15. Januar 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/812H01L29/06H01L29/10H01L29/20H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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